选型手册：VSF013N10MS3-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSF013N10MS3-G是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220SF 封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 10.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 13.5mΩ，中压场景下传导损耗可控；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 42A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 26A，承载能力较强；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：168A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。
二、核心特性
- VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，提升中压电源能效；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 18mJ，抗冲击能力强；
- TO-220SF 封装：直插封装适配常规中功率电路，散热性能较好；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
100 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
42 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 42；\(T=100^\circ\text{C}\): 26 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
168 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
18 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
30 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+175 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-220SF 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube；
- 典型应用：
- 100V 级中压中功率 DC/DC 转换器；
- 工业设备、消费电子的中压负载开关；
- 中压电源管理模块。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
