选型手册：VSD007N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSD007N06MS是一款面向 60V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配低压大功率电源管理、DC/DC 转换器等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 4.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 6.0mΩ，低压场景下传导损耗极致低；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 85A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 66A，承载能力极强；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：300A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。
二、核心特性
- 极致低导通电阻：4.0~6.0mΩ 的阻性表现，大幅降低低压大电流传输的损耗；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 900mJ，抗冲击能力极强；
- TO-252 封装：适配中高功率密度电路设计，散热性能较好；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
60 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
85 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 85；\(T=100^\circ\text{C}\): 66 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
300 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
900 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
100 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+175 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷；
- 典型应用：
- 60V 级低压大功率 DC/DC 转换器；
- 储能系统、工业设备的超大电流负载开关；
- 高功率电源管理系统的核心功率开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
