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晶合集成新获得发明专利授权:“一种半导体结构及其制备方法”
专利摘要:本发明提供一种半导体结构,包括:衬底;栅极结构,形成于所述衬底上;侧墙结构,形成于所述衬底上,所述侧墙结构包括多个侧墙层,所述侧墙层位于所述栅极结构的外围;以及源极结构与漏极结构,形成于所述衬底上,所述源极结构与所述漏极结构位于所述侧墙结构的两侧;其中,相邻两个所述侧墙结构之间的间距大于所...

